A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應(yīng)相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應(yīng)少于一個
C、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成三組試驗
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A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應(yīng)根據(jù)施工要求確定
B、對于需要進(jìn)行耐久性檢驗評定的砼,其強度應(yīng)滿足設(shè)計要求
C、耐久性檢驗評定的依據(jù)是《砼強度檢驗評定標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50107-2010標(biāo)準(zhǔn)
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應(yīng)根據(jù)設(shè)計要求確定
A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列哪個不是單晶常用的晶向()
下列是晶體的是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
可用作硅片的研磨材料是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()