A、靜載錨固性能
B、疲勞載荷性能
C、周期載荷性能
D、輔助性能
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A、產(chǎn)品代號(hào)
B、預(yù)應(yīng)力鋼材直徑
C、預(yù)應(yīng)力鋼材等級(jí)
D、預(yù)應(yīng)力鋼材根數(shù)
A、JYM
B、YJJ
C、YJM
D、BJM
A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
A、錐形錨具
B、墩頭錨具
C、壓花錨具
D、擠壓錨具
A、施工時(shí)使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預(yù)應(yīng)力筋的面積
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
可用作硅片的研磨材料是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）