A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
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A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
A.試件運至試驗室后,應將試件上下表面大致修理平整
B.應在預先找平的鋼墊上坐漿,然后應將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應在寬側面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設防
B.加強房屋結構延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
A.應在槽間砌體兩側各粘貼一對變形測量腳標,腳標應位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應記錄標距值,并應精確至0.1mm
A.應鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿,并應伸進撬棍,應將水平灰縫撬松動,然后應小心抬出試件
D.試件搬運過程中,應防止碰撞,并應采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。