多項選擇題原位單剪法檢測時,加荷時以下說法正確的是()。
A.加荷時應勻速施加水平荷載,并應控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當試件沿受剪面滑動、千斤頂開始卸荷時,應判定試件達到破壞狀態(tài)
C.應記錄破壞荷載值,并應結束測試
D.應在預定剪切面(灰縫)破壞,測試有效
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題砌筑磚墻時,含水率應控制在10%-15%之間的磚為()。
A.燒結普通磚
B.燒結空心磚
C.燒結多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
2.多項選擇題砌體留直槎時應設拉結筋。在抗震區(qū),槎每側伸人墻內(nèi)的鋼筋長度可為()。
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
3.多項選擇題原位單剪法檢測時,測試設備包括以下哪些()。
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
4.多項選擇題砌體工程冬期施工的常用方法有()。
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結法
5.多項選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗步驟,應包括試件試驗機底板上的()等檢測及測試事項。
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題