A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
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A.對(duì)中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
A．窗洞口
B．后砌窗下墻處
C．其他洞口下三皮磚
D．離樓面層近
A.試件運(yùn)至試驗(yàn)室后，應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿，然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1：3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1：1.5水泥砂漿找平
E.測(cè)量試件受壓變形值時(shí)，應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來(lái)的荷載
A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對(duì)變形測(cè)量腳標(biāo)，腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫，宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取270mm~300mm
E、測(cè)試前應(yīng)記錄標(biāo)距值，并應(yīng)精確至0.1mm
最新試題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）