多項選擇題砌體留直槎時應設拉結筋。在抗震區(qū),槎每側伸人墻內的鋼筋長度可為()。
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
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1.多項選擇題原位單剪法檢測時,測試設備包括以下哪些()。
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數字荷載表
2.多項選擇題砌體工程冬期施工的常用方法有()。
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結法
3.多項選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗步驟,應包括試件試驗機底板上的()等檢測及測試事項。
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
4.多項選擇題原位單剪法檢測時,測試部位宜選在()或范圍內,試件具體尺寸應符合標準規(guī)定。
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
5.多項選擇題以下哪些符合切制試件法的測試步驟()。
A.試件運至試驗室后,應將試件上下表面大致修理平整
B.應在預先找平的鋼墊上坐漿,然后應將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應在寬側面上粘貼安裝百分表的表座
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
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下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
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在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
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對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題