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判斷題CO干刻、DI干刻等留膜工序，一般是根據(jù)最厚的區(qū)域，計算時間。

1.判斷題評判光刻膠是否足夠時，必須要SEM確認到管芯臺階最高的位置。

2.判斷題SIO₂層如果在注入后不做退火，濕法腐蝕速率會變慢。

3.判斷題濕法去膠（3#液）會腐蝕少量的SIN。

4.判斷題TEOS腐蝕速率比熱氧SIO₂快，速率主要和后道高溫工序的溫度相關。

5.判斷題鋁干法刻蝕后的制品，必須要盡快沖水的原因是避免侵蝕。

6.判斷題在產(chǎn)線中，鋁刻蝕后往往都不是安全停留工序。

7.判斷題對于SIO₂濕法刻蝕工藝，一般情況下，烘烤溫度越高，刻蝕臺階越陡，當溫度高于130度時，膠會有變形。

8.判斷題濕法刻蝕前的打膠工序，主要作用是改善硅片親水性，打掉光刻顯影底膜。

9.判斷題當SIO₂膜質(zhì)摻硼時，在BOE中速率會變快，摻磷時，在BOE中速率會變慢。

10.單項選擇題以下哪種材質(zhì)，純濕法刻蝕后，不需要使用帶鋁后處理的工序段？（）

A.純AL
B.AL-SI
C.AL-SI-CU
D.AL-SI+AL-SI-CU