問(wèn)答題
縮寫(xiě)中文含義
APCVD
HDPCVD
LPCVD
PECVD
PVD
BJT
CD
CMOS
CMP
MIC
ILD
MBE
SOI
DUV
MOCVD
BSG
PSG
BPSG
RTP
RTA
IC
LOCOS
STI
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VLSI
CA
FIB
ARC
ASIC
RIE
FIB
EUV
LDD
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2.問(wèn)答題什么是阻擋層金肩？阻擋層材料的基本特性是什么？哪種金屬常被用做阻擋層金屬？
3.問(wèn)答題列出并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
5.問(wèn)答題列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
最新試題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀(guān)檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題