刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后，退火的目的是（）。