A.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，改變占空比不能調(diào)節(jié)輸出電壓的有效值
B.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，只要改變滯后角q就可調(diào)節(jié)輸出電壓的有效值
C.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，改變占空比就可調(diào)節(jié)輸出電壓的有效值
D.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，改變占空比就可調(diào)節(jié)輸出電壓的峰值
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A.隔離型全橋與推挽DC-DC變換電路輸出電壓最大值與輸入電壓之比，等于變壓器（副邊/原邊）匝數(shù)之比
B.隔離型全橋與推挽DC-DC變換電路輸出電壓最大值與輸入電壓之比，小于變壓器（副邊/原邊）匝數(shù)的比值，原因在于占空比小于1
C.隔離型全橋DC-DC變換電路輸出電壓最大值與輸入電壓之比，小于1，原因在于占空比小于1
D.隔離型推挽DC-DC變換電路輸出電壓最大值與輸入電壓之比，小于1，原因在于占空比小于1
A.隔離型半橋DC-DC變換電路當(dāng)兩個開關(guān)導(dǎo)通時間不對稱時，變壓器一次側(cè)電壓存在直流分量，因此容易發(fā)生變壓器的偏磁和直流磁飽和
B.隔離型半橋DC-DC變換電路，電容對變壓器一次側(cè)電壓的直流分量有自動平衡作用，因此不容易發(fā)生變壓器的偏磁和直流磁飽和
C.隔離型半橋DC-DC變換電路，其開關(guān)管的數(shù)量至少大于4個
D.隔離型半橋DC-DC變換電路，其開關(guān)管的數(shù)量至少等于4個
A.開環(huán)控制的反激電路，在負(fù)載為零的極限情況下，輸出電壓與開通占空比成正比
B.開環(huán)控制的反激電路，在負(fù)載為零的極限情況下，理論上輸出電壓趨向無窮大，所以應(yīng)避免開路
C.開環(huán)控制的反激電路，在負(fù)載為零的極限情況下，輸出電壓趨向于某穩(wěn)定值，所以輸出端可以開路，即負(fù)載可以為零
D.開環(huán)控制的反激電路，輸出電壓趨向無窮大，所以應(yīng)采用閉環(huán)控制
A.正激電路的開關(guān)管S必須一直關(guān)斷
B.正激電路變壓器開關(guān)管S開通后，變壓器激磁電流增長；開關(guān)管S關(guān)斷后，變壓器的磁芯會立刻自動磁復(fù)位，沒有必要采取專門的磁復(fù)位措施或電路
C.正激電路的開關(guān)管S必須一直開通
D.正激電路變壓器開關(guān)管S開通后，變壓器激磁電流增長；開關(guān)管S關(guān)斷后，必須設(shè)法使變壓器的磁芯復(fù)位，避免變壓器激磁電感飽和
A.多相多重斬波電路可以由多個結(jié)構(gòu)不同的基本斬波電路組成。相數(shù)指的是一周期負(fù)載電流脈波數(shù)。重數(shù)指的是一周期電源側(cè)電流脈波數(shù)
B.多相多重斬波電路是由多個結(jié)構(gòu)不同基本斬波電路組成。相數(shù)指的是基本斬波電路數(shù)量，重數(shù)指的是單相負(fù)載
C.多相多重斬波電路是由多個結(jié)構(gòu)不同基本斬波電路組成。相數(shù)指的是基本斬波電路數(shù)量，重數(shù)指的是負(fù)載數(shù)量
D.多相多重斬波電路是由多個結(jié)構(gòu)相同基本斬波電路組成。相數(shù)指的是一周期電源側(cè)電流脈波數(shù)，重數(shù)指的是負(fù)載電流脈波數(shù)
A.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于直流-直流變換的
B.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于交流-直流變換和直流/交流變換的
C.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于交流-交流變換和直流/交流變換的
D.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于直流-直流變換和交流-交流變換的
A.PWM控制就是對脈沖的幅值進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
B.PWM控制就是對脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即通過對一系列脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制，來等效地獲得所需形狀和幅值的波形
C.PWM控制就是對脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
D.PWM控制就是對脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即通過對一系列脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制，來獲得所需形狀的波形
A.型號相同的MOSFET可以并聯(lián)運(yùn)行，而IGBT不可以并聯(lián)運(yùn)行
B.型號相同的MOSFET和IGBT都不可以并聯(lián)運(yùn)行
C.型號相同的MOSFET可以并聯(lián)運(yùn)行，IGBT在通過電流較大時通態(tài)壓降具有正溫度系數(shù)，也可以并聯(lián)使用
D.型號相同的MOSFET不可以并聯(lián)運(yùn)行，而IGBT可以并聯(lián)運(yùn)行
A.晶閘管串聯(lián)使用時，僅需要采取動態(tài)均壓措施即可
B.晶閘管串聯(lián)均壓措施就是選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件即可
C.晶閘管串聯(lián)使用時，需要采取靜態(tài)均壓措施和動態(tài)均壓措施
D.晶閘管串聯(lián)使用時，僅需要采取靜態(tài)均壓措施即可
A.di/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓
B.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小器件的開通損耗
C.關(guān)斷緩沖電路用于抑制器件的電流過沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗
最新試題
6進(jìn)制異步清零，最后一個計數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為（）
3進(jìn)制的加法計數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
電壓比較器的功能是，將一個模擬量輸入電壓，與一個參考電壓VR進(jìn)行比較，并將比較的結(jié)果輸出，它廣泛應(yīng)用于（）等方面。
從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個脈沖它就加一，很顯然它是一個（）加法計數(shù)器。
碼制即編碼體制，在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載（）
全加器的輸入信號是（）
異步計數(shù)器的計數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。