A.輸入和輸出間存在反饋
B.輸出狀態(tài)和原狀態(tài)有關(guān)
C.具有記憶能力
D.不具記憶能力
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A.該時(shí)刻的輸入信號(hào)
B.該時(shí)刻輸入信號(hào)和輸入信號(hào)作用前電路的狀態(tài)
C.輸入信號(hào)作用前電路的狀態(tài)
D.輸出信號(hào)
A.0
B.1
C.2
D.10
A.基數(shù)
B.權(quán)
C.系數(shù)
D.不確定
A.A+AB=A
B.A+B=B+A
C.AX0=0
D.A+A!*B=A
A.決定事件幾個(gè)條件有一個(gè)符合，這件事就發(fā)生
B.決定事件幾個(gè)條件全部符合，這件事就發(fā)生
C.條件不具備，事件發(fā)生；條件具備，事件不發(fā)生
D.事件和條件相反
最新試題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請(qǐng)問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí)，使用一條語句來進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對(duì)應(yīng)的是（）。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。