A.該時(shí)刻的輸入信號(hào)
B.該時(shí)刻輸入信號(hào)和輸入信號(hào)作用前電路的狀態(tài)
C.輸入信號(hào)作用前電路的狀態(tài)
D.輸出信號(hào)
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A.0
B.1
C.2
D.10
A.基數(shù)
B.權(quán)
C.系數(shù)
D.不確定
A.A+AB=A
B.A+B=B+A
C.AX0=0
D.A+A!*B=A
A.決定事件幾個(gè)條件有一個(gè)符合，這件事就發(fā)生
B.決定事件幾個(gè)條件全部符合，這件事就發(fā)生
C.條件不具備，事件發(fā)生；條件具備，事件不發(fā)生
D.事件和條件相反
A.F=A⊕B
B.F=A+B
C.F=A⊙B
D.F=（A*B）！
最新試題
?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開(kāi)始和結(jié)束方式是（）。
?verilog語(yǔ)法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào)，輸出信號(hào)為電流信號(hào)，則以下描述正確的有（）。?
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí)，使用一條語(yǔ)句來(lái)進(jìn)行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語(yǔ)句對(duì)應(yīng)的是（）。
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器，若采樣時(shí)間0.01s，那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少？（）
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。