封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

常壓的硅外延方法有（）。