單項選擇題下列關(guān)于晶閘管式交-交變頻電路的說法中，哪種是不正確的？（）

A.通過正、反兩組晶閘管變流器的周期性切換實現(xiàn)輸出交流電壓、電流的目的
B.每組變流器既可工作在整流狀態(tài)，也可工作在有源逆變狀態(tài)
C.輸出電壓頻率只能低于輸入電壓頻率
D.既可輸出方波，也可以輸出正弦波


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項選擇題下列關(guān)于交流調(diào)功電路的說法中，哪種是不正確的？（）

A.控制電路的接通和斷開，以控制電路的平均輸出功率為目的
B.改變控制周期內(nèi)電路導(dǎo)通周波數(shù)和斷開周波數(shù)的比
C.適用于溫度等大慣性的負載
D.適用于調(diào)光等應(yīng)用場合

2.單項選擇題下列關(guān)于交流-交流變換的說法中，哪種是不正確的？（）

A.可以改變相關(guān)的電壓（電流）、頻率和相數(shù)等
B.可以分成直接式和間接式兩種電路
C.既可采用相控式，又可采用斬控式
D.只能降壓，不能升壓

4.單項選擇題IGBT是下列哪種電力電子器件的英文縮寫？（）

A.晶閘管
B.門極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管

5.單項選擇題以下電力電子器件中既是全控型器件又是電流驅(qū)動型的器件是（）。

A.IGBT ，GTO
B.電力MOSFET ，GTR
C.IGBT ，電力MOSFET
D.GTO ，GTR

6.單項選擇題絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種（）結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端

7.單項選擇題有關(guān)MOSFET的通態(tài)電阻，表述正確的是（）

A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負溫度系數(shù)，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流不利。

9.單項選擇題晶閘管門極的控制作用，表述正確的是（）

A.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦無電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。

10.單項選擇題GTR典型輸出特性分為（）

A.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。