集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2018.02.23)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：
雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴散電阻；MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。
參考答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強度增加，電流隨之增大，... 參考答案：基區(qū)薄層電阻擴散完成后，還有多道高溫處理工序，所以雜質會進一步往里邊推，同時表面的硅會進一步氧化。形成管子后，實際電阻比... 參考答案：
MOS電容大小取決于面積、氧化層的厚度、氧化層的介電常數(shù)
參考答案：有比反相器在輸出低電平時，驅動管和負載管同時導通，其輸出低電平由驅動管導通電阻和負載管導通電阻的分壓決定。為保持足夠低的... 參考答案：使用鍍銀銅線減小高頻電阻；用多股的絕緣線代替具有同樣總截面的單股線減小肌膚效應；使用介質損耗小的高頻陶瓷為骨架減小介質損... 參考答案：集成電路中半導體器件的最小尺寸如MOSFET的最小溝道長度。是衡量集成電路加工和設計水平的重要標志。它的減小使得芯片集成... 參考答案：
英特爾芯片上晶體管數(shù)每隔18個月增加一倍
參考答案：動態(tài)組合邏輯電路中存在的常見的三種問題是電荷泄漏，電荷分配和時鐘饋通。
電荷泄漏產(chǎn)生的原因是與輸出相連的MOS...
