金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。