單項選擇題下列關于單相全橋式逆變電路的說法錯誤的是（）

A.既可輸出方波，也可輸出正弦波
B.一旦輸入直流電壓確定，輸出電壓有效值不可調
C.當方波輸出時，輸出交流電壓的幅值為直流輸入側電壓
D.包含四個橋臂，可以看成由兩個半橋式電路組合而成


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1.單項選擇題下列哪種換流方式不適合于無源逆變電路？（）

A.負載換流
B.器件換流
C.強迫換流
D.電網換流

2.單項選擇題下列關于晶閘管式交-交變頻電路的說法中，哪種是不正確的？（）

A.通過正、反兩組晶閘管變流器的周期性切換實現輸出交流電壓、電流的目的
B.每組變流器既可工作在整流狀態(tài)，也可工作在有源逆變狀態(tài)
C.輸出電壓頻率只能低于輸入電壓頻率
D.既可輸出方波，也可以輸出正弦波

3.單項選擇題下列關于交流調功電路的說法中，哪種是不正確的？（）

A.控制電路的接通和斷開，以控制電路的平均輸出功率為目的
B.改變控制周期內電路導通周波數和斷開周波數的比
C.適用于溫度等大慣性的負載
D.適用于調光等應用場合

4.單項選擇題下列關于交流-交流變換的說法中，哪種是不正確的？（）

A.可以改變相關的電壓（電流）、頻率和相數等
B.可以分成直接式和間接式兩種電路
C.既可采用相控式，又可采用斬控式
D.只能降壓，不能升壓

6.單項選擇題IGBT是下列哪種電力電子器件的英文縮寫？（）

A.晶閘管
B.門極可關斷晶閘管
C.功率場效應晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管

7.單項選擇題以下電力電子器件中既是全控型器件又是電流驅動型的器件是（）。

A.IGBT ，GTO
B.電力MOSFET ，GTR
C.IGBT ，電力MOSFET
D.GTO ，GTR

8.單項選擇題絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種（）結構的半導體器件。

A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端

9.單項選擇題有關MOSFET的通態(tài)電阻，表述正確的是（）

A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負溫度系數，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數，對器件并聯(lián)時的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數，對器件并聯(lián)時的均流不利。