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單項選擇題常壓與減壓外延（）使用同套光刻版，外延與非外延流程（）采用同一套光刻版，后續(xù)光刻層次對位文件標記無法同時編兩個對位標記。（）

A.不能，能
B.不能，不能
C.能，不能
D.能，能

1.單項選擇題UT光刻機對位標記信號的探測是通過對位光線經(jīng)掩模板照射到標記臺階上，在臺階邊緣的（）線進入信號探測系統(tǒng)內(nèi)。

A.漫反射光
B.衍射光
C.反射光

2.判斷題CO干刻、DI干刻等留膜工序，一般是根據(jù)最厚的區(qū)域，計算時間。

3.判斷題評判光刻膠是否足夠時，必須要SEM確認到管芯臺階最高的位置。

4.判斷題SIO₂層如果在注入后不做退火，濕法腐蝕速率會變慢。

5.判斷題濕法去膠（3#液）會腐蝕少量的SIN。

6.判斷題TEOS腐蝕速率比熱氧SIO₂快，速率主要和后道高溫工序的溫度相關(guān)。

7.判斷題鋁干法刻蝕后的制品，必須要盡快沖水的原因是避免侵蝕。

8.判斷題在產(chǎn)線中，鋁刻蝕后往往都不是安全停留工序。

9.判斷題對于SIO₂濕法刻蝕工藝，一般情況下，烘烤溫度越高，刻蝕臺階越陡，當(dāng)溫度高于130度時，膠會有變形。

10.判斷題濕法刻蝕前的打膠工序，主要作用是改善硅片親水性，打掉光刻顯影底膜。