集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.04.21)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題MOS管的實(shí)際組成是什么？基本參數(shù)是什么？
參考答案：由兩個(gè)PN結(jié)和一個(gè)MOS電容組成的。
基本的參數(shù)是Lmin、Wmin和toxL：MOS工藝的特征尺寸（feat...
基本的參數(shù)是Lmin、Wmin和toxL：MOS工藝的特征尺寸（feat...
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CMOS靜態(tài)邏輯門功耗的構(gòu)成。
參考答案：CMOS靜態(tài)邏輯門的功耗包括靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。靜態(tài)功耗幾乎為0。但對(duì)于深亞微米器件，存在泄漏電流引起的功耗，此泄漏電流...
3.問(wèn)答題為了形成具有一定阻值的多晶硅電阻，對(duì)多晶硅的摻雜有何要求？
4.問(wèn)答題什么是有源電阻？哪些器件可擔(dān)當(dāng)有源電阻？
參考答案：采用晶體管進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接并使其工作在一定的狀態(tài)，利用它的直流導(dǎo)通電阻和交流電阻作為電路中的電阻元件使用
雙極性...
雙極性...
5.問(wèn)答題常見(jiàn)的曝光光源？
參考答案：
紫外光源、深紫外光源。
6.問(wèn)答題用什么參數(shù)衡量MOS器件的增益？
參考答案：
用gm衡量MOS器件的增益
7.問(wèn)答題集成電路中集總電感有幾種形式？
參考答案：
2單匝線圈和圓形、方形或其他螺旋形多匝線圈
8.問(wèn)答題什么是贗晶或贗配HEMT？
參考答案：
因?yàn)镮n原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象
9.問(wèn)答題什么是干法刻蝕？干法有幾種刻蝕方法？
參考答案：用等離子體對(duì)薄膜線條進(jìn)行刻蝕的一種新技術(shù)。
分為等離子體刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕RIE、磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕、高密度等...
分為等離子體刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕RIE、磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕、高密度等...
參考答案：
異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管的發(fā)射極效率主要由禁帶寬度差決定，幾乎不受摻雜比的限制
