判斷題負膠特征為顯影過程中照射部分溶解，非照射部分保留。
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2.多項選擇題NIKON硅片對準系統(tǒng)對對準精度的影響較大，有三種對位方式（）。
A.WGA
B.EGA
C.LSA
D.FIA
3.多項選擇題對準與曝光關鍵工藝參數(shù)（）。
A.對準OVERLAY
B.分辨率
C.焦深或景深
4.多項選擇題光刻工藝中影響分辨率的因素有（）。
A.顯影液
B.曝光方式
C.光刻膠本身
D.光源
5.多項選擇題對光刻膠的需求包括（）。
A.高分辨率
B.高抗蝕性
C.好黏附性
D.更寬的工藝容差
6.多項選擇題光刻膠通常有三種成分：（）。
A.感光化合物
B.水
C.溶劑
D.基體材料
7.多項選擇題光刻工藝流程包含以下哪些步驟？（）
A.前處理
B.勻膠及后烘
C.曝光
D.顯影及后檢
8.單項選擇題HMDS的作用是使表面（），增加硅片表面與光刻膠的粘附性能。
A.疏水
B.親水
9.單項選擇題一廠PE和MPA的對套OVERLAY能力為（）。
A.±0.5um
B.±1um
C.±1.5um
D.±2um
10.單項選擇題常壓與減壓外延（）使用同套光刻版，外延與非外延流程（）采用同一套光刻版，后續(xù)光刻層次對位文件標記無法同時編兩個對位標記。（）
A.不能，能
B.不能，不能
C.能，不能
D.能，能